Rohm Semiconductor - RD3S100CNTL1

KEY Part #: K6393153

RD3S100CNTL1 Priser (USD) [106032stk Lager]

  • 1 pcs$0.34883

Delnummer:
RD3S100CNTL1
Produsent:
Rohm Semiconductor
Detaljert beskrivelse:
NCH 190V 10A POWER MOSFET.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - FET, MOSFET - Arrays, Transistorer - spesialformål, Dioder - Bridge likerettere, Dioder - Zener - Arrays, Transistorer - IGBT-er - moduler, Dioder - likerettere - matriser, Dioder - Zener - Singel and Transistorer - FET, MOSFET - RF ...
Konkurransefordel:
We specialize in Rohm Semiconductor RD3S100CNTL1 electronic components. RD3S100CNTL1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RD3S100CNTL1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RD3S100CNTL1 Produktegenskaper

Delnummer : RD3S100CNTL1
Produsent : Rohm Semiconductor
Beskrivelse : NCH 190V 10A POWER MOSFET
Serie : -
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 190V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 10A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 182 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 52nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 2000pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 85W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : TO-252
Pakke / sak : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63