Infineon Technologies - IPD35N10S3L26ATMA1

KEY Part #: K6403230

IPD35N10S3L26ATMA1 Priser (USD) [198389stk Lager]

  • 1 pcs$0.18644
  • 2,500 pcs$0.17103

Delnummer:
IPD35N10S3L26ATMA1
Produsent:
Infineon Technologies
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Tyristorer - TRIAC, Transistorer - Bipolar (BJT) - Singel, Dioder - Zener - Singel, Transistorer - IGBT-er - moduler, Transistorer - spesialformål, Transistorer - JFET-er, Transistorer - IGBT-er - Arrays and Transistorer - Bipolar (BJT) - RF ...
Konkurransefordel:
We specialize in Infineon Technologies IPD35N10S3L26ATMA1 electronic components. IPD35N10S3L26ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD35N10S3L26ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD35N10S3L26ATMA1 Produktegenskaper

Delnummer : IPD35N10S3L26ATMA1
Produsent : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
Serie : OptiMOS™
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 100V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 24 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 39µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 39nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 2700pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 71W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : PG-TO252-3-11
Pakke / sak : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63