Infineon Technologies - IRFU5410PBF

KEY Part #: K6400183

IRFU5410PBF Priser (USD) [96413stk Lager]

  • 1 pcs$0.44319
  • 10 pcs$0.38925
  • 100 pcs$0.28413
  • 500 pcs$0.21048
  • 1,000 pcs$0.16838

Delnummer:
IRFU5410PBF
Produsent:
Infineon Technologies
Detaljert beskrivelse:
MOSFET P-CH 100V 13A I-PAK.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - programmerbar enhet, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioder - RF, Tyristorer - SCR-er - moduler, Transistorer - FET, MOSFET - En, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk and Tyristorer - DIAC, SIDAC ...
Konkurransefordel:
We specialize in Infineon Technologies IRFU5410PBF electronic components. IRFU5410PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFU5410PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFU5410PBF Produktegenskaper

Delnummer : IRFU5410PBF
Produsent : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET P-CH 100V 13A I-PAK
Serie : HEXFET®
Delstatus : Active
FET Type : P-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 100V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 13A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 205 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 58nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 760pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 66W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandørenhetspakke : IPAK (TO-251)
Pakke / sak : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA