Toshiba Semiconductor and Storage - TK10A60W,S4X

KEY Part #: K6418269

TK10A60W,S4X Priser (USD) [57093stk Lager]

  • 1 pcs$0.71924
  • 2,500 pcs$0.71567

Delnummer:
TK10A60W,S4X
Produsent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - JFET-er, Tyristorer - DIAC, SIDAC, Transistorer - FET, MOSFET - En, Transistorer - IGBT-er - singel, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk and Transistorer - IGBT-er - Arrays ...
Konkurransefordel:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK10A60W,S4X electronic components. TK10A60W,S4X can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK10A60W,S4X, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK10A60W,S4X Produktegenskaper

Delnummer : TK10A60W,S4X
Produsent : Toshiba Semiconductor and Storage
Beskrivelse : MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220
Serie : DTMOSIV
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 600V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 9.7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 380 mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.7V @ 500µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V
Vgs (maks) : ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 720pF @ 300V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 30W (Tc)
Driftstemperatur : -
Monteringstype : Through Hole
Leverandørenhetspakke : TO-220
Pakke / sak : TO-220-3 Full Pack