EPC - EPC2019

KEY Part #: K6417174

EPC2019 Priser (USD) [53015stk Lager]

  • 1 pcs$0.81534
  • 1,000 pcs$0.81128

Delnummer:
EPC2019
Produsent:
EPC
Detaljert beskrivelse:
GAN TRANS 200V 8.5A BUMPED DIE.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - FET, MOSFET - En, Transistorer - spesialformål, Transistorer - FET, MOSFET - RF, Transistorer - FET, MOSFET - Arrays, Transistorer - programmerbar enhet, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Tyristorer - TRIAC and Transistorer - Bipolar (BJT) - RF ...
Konkurransefordel:
We specialize in EPC EPC2019 electronic components. EPC2019 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2019, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC2019 Produktegenskaper

Delnummer : EPC2019
Produsent : EPC
Beskrivelse : GAN TRANS 200V 8.5A BUMPED DIE
Serie : eGaN®
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : GaNFET (Gallium Nitride)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 200V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 8.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 5V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 50 mOhm @ 7A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1.5mA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 2.5nC @ 5V
Vgs (maks) : +6V, -4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 270pF @ 100V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : -
Driftstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : Die
Pakke / sak : Die