Delnummer :
VS-GB100TH120N
Produsent :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beskrivelse :
IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK
konfigurasjon :
Half Bridge
Spenning - Samlebrenningens nedbrytning (maks) :
1200V
Nåværende - Samler (Ic) (Maks) :
200A
Vce (på) (Max) @ Vge, Ic :
2.35V @ 15V, 100A
Nåværende - Collector Cutoff (Max) :
5mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce :
8.58nF @ 25V
Driftstemperatur :
150°C (TJ)
Monteringstype :
Chassis Mount
Pakke / sak :
Double INT-A-PAK (3 + 4)
Leverandørenhetspakke :
Double INT-A-PAK