Taiwan Semiconductor Corporation - TSM2N100CH C5G

KEY Part #: K6401639

TSM2N100CH C5G Priser (USD) [94465stk Lager]

  • 1 pcs$0.41392

Delnummer:
TSM2N100CH C5G
Produsent:
Taiwan Semiconductor Corporation
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO251.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - spesialformål, Tyristorer - SCR, Dioder - Bridge likerettere, Tyristorer - SCR-er - moduler, Dioder - likerettere - singel, Tyristorer - TRIAC, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays and Transistorer - JFET-er ...
Konkurransefordel:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation TSM2N100CH C5G electronic components. TSM2N100CH C5G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TSM2N100CH C5G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TSM2N100CH C5G Produktegenskaper

Delnummer : TSM2N100CH C5G
Produsent : Taiwan Semiconductor Corporation
Beskrivelse : MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO251
Serie : -
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 1000V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 1.85A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 8.5 Ohm @ 900mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 10V
Vgs (maks) : ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 625pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 77W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandørenhetspakke : TO-251 (IPAK)
Pakke / sak : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA