Taiwan Semiconductor Corporation - TSM900N06CW RPG

KEY Part #: K6415776

TSM900N06CW RPG Priser (USD) [621404stk Lager]

  • 1 pcs$0.05952

Delnummer:
TSM900N06CW RPG
Produsent:
Taiwan Semiconductor Corporation
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CHANNEL 60V 11A SOT223.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - spesialformål, Tyristorer - DIAC, SIDAC, Dioder - RF, Transistorer - FET, MOSFET - RF, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Tyristorer - TRIAC, Transistorer - IGBT-er - singel and Dioder - Zener - Arrays ...
Konkurransefordel:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation TSM900N06CW RPG electronic components. TSM900N06CW RPG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TSM900N06CW RPG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TSM900N06CW RPG Produktegenskaper

Delnummer : TSM900N06CW RPG
Produsent : Taiwan Semiconductor Corporation
Beskrivelse : MOSFET N-CHANNEL 60V 11A SOT223
Serie : -
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 60V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 90 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 9.3nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 500pF @ 15V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 25W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : SOT-223
Pakke / sak : TO-261-4, TO-261AA