STMicroelectronics - STI20N60M2-EP

KEY Part #: K6396896

STI20N60M2-EP Priser (USD) [72767stk Lager]

  • 1 pcs$0.53734
  • 1,000 pcs$0.48015

Delnummer:
STI20N60M2-EP
Produsent:
STMicroelectronics
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CHANNEL 600V 13A TO220.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Power Driver-moduler, Tyristorer - SCR, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioder - Zener - Arrays, Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors), Transistorer - spesialformål, Dioder - likerettere - matriser and Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk ...
Konkurransefordel:
We specialize in STMicroelectronics STI20N60M2-EP electronic components. STI20N60M2-EP can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STI20N60M2-EP, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STI20N60M2-EP Produktegenskaper

Delnummer : STI20N60M2-EP
Produsent : STMicroelectronics
Beskrivelse : MOSFET N-CHANNEL 600V 13A TO220
Serie : MDmesh™ M2-EP
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 600V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 13A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 278 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.75V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 21.7nC @ 10V
Vgs (maks) : ±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 787pF @ 100V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 110W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandørenhetspakke : TO-220
Pakke / sak : TO-220-3