Vishay Siliconix - SQ3419EV-T1_GE3

KEY Part #: K6421076

SQ3419EV-T1_GE3 Priser (USD) [344842stk Lager]

  • 1 pcs$0.10726
  • 3,000 pcs$0.09710

Delnummer:
SQ3419EV-T1_GE3
Produsent:
Vishay Siliconix
Detaljert beskrivelse:
MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - Bipolar (BJT) - Singel, Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistorer - IGBT-er - Arrays, Dioder - Zener - Singel, Dioder - Zener - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF and Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors) ...
Konkurransefordel:
We specialize in Vishay Siliconix SQ3419EV-T1_GE3 electronic components. SQ3419EV-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQ3419EV-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQ3419EV-T1_GE3 Produktegenskaper

Delnummer : SQ3419EV-T1_GE3
Produsent : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP
Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Delstatus : Active
FET Type : P-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 40V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 6.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 58 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 11.3nC @ 4.5V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 990pF @ 20V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 5W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : 6-TSOP
Pakke / sak : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Du kan også være interessert i