Micron Technology Inc. - MT53D512M64D4NZ-046 WT:E TR

KEY Part #: K906796

MT53D512M64D4NZ-046 WT:E TR Priser (USD) [867stk Lager]

  • 1 pcs$59.50738

Delnummer:
MT53D512M64D4NZ-046 WT:E TR
Produsent:
Micron Technology Inc.
Detaljert beskrivelse:
IC DRAM 32G 2133MHZ. DRAM LPDDR4 32G 512MX64 FBGA QDP
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Lineær - videobehandling, Grensesnitt - sensor, kapasitiv berøring, Logikk - Flip Flops, Embedded - CPLD-er (komplekse programmerbare logis, PMIC - RMS til DC-omformere, PMIC - Power Management - Specialized, Grensesnitt - Sensor og detektorgrensesnitt and Lineære - Forsterkere - Videoforsterkere og module ...
Konkurransefordel:
We specialize in Micron Technology Inc. MT53D512M64D4NZ-046 WT:E TR electronic components. MT53D512M64D4NZ-046 WT:E TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT53D512M64D4NZ-046 WT:E TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT53D512M64D4NZ-046 WT:E TR Produktegenskaper

Delnummer : MT53D512M64D4NZ-046 WT:E TR
Produsent : Micron Technology Inc.
Beskrivelse : IC DRAM 32G 2133MHZ
Serie : -
Delstatus : Active
Minnetype : Volatile
Minneformat : DRAM
Teknologi : SDRAM - Mobile LPDDR4
Minnestørrelse : 32Gb (512M x 64)
Klokkefrekvens : 2133MHz
Skriv syklustid - Word, Page : -
Tilgangstid : -
Minne-grensesnitt : -
Spenning - forsyning : 1.1V
Driftstemperatur : -30°C ~ 85°C (TC)
Monteringstype : -
Pakke / sak : -
Leverandørenhetspakke : -

Du kan også være interessert i
  • IS49RL18320-093EBLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA. DRAM RLDRAM3 Memory,576M Common I/O,1066Mhz

  • IS49RL36160-093EBLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA. DRAM RLDRAM3 Memory, 576M Common I/O, 1066Mhz

  • DS1265W-100IND+

    Maxim Integrated

    IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP. NVRAM 3.3V 8M NV SRAM

  • DS1265Y-70IND+

    Maxim Integrated

    IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP. NVRAM 8M NV SRAM

  • IS61VF204836B-7.5TQLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 72M PARALLEL 100LQFP. SRAM 72Mb,Flowthrough,Sync,2Mb x 36, 2.5V I/O,100 Pin TQFP, RoHS

  • IS61NVP204836B-166TQLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 72M PARALLEL 100LQFP. SRAM 72Mb, 7.5ns, 2.5v 2M x 36 Sync SRAM