Infineon Technologies - IRFR9N20DTRL

KEY Part #: K6413957

[12920stk Lager]


    Delnummer:
    IRFR9N20DTRL
    Produsent:
    Infineon Technologies
    Detaljert beskrivelse:
    MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    På lager
    Holdbarhet:
    Ett år
    Brikke fra:
    Hong Kong
    RoHS:
    Betalingsmetode:
    Forsendelsesmåte:
    Familiekategorier:
    KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - Zener - Arrays, Dioder - RF, Transistorer - IGBT-er - Arrays, Transistorer - FET, MOSFET - Arrays, Dioder - Bridge likerettere, Transistorer - spesialformål, Transistorer - FET, MOSFET - En and Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays ...
    Konkurransefordel:
    We specialize in Infineon Technologies IRFR9N20DTRL electronic components. IRFR9N20DTRL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFR9N20DTRL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRFR9N20DTRL Produktegenskaper

    Delnummer : IRFR9N20DTRL
    Produsent : Infineon Technologies
    Beskrivelse : MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
    Serie : HEXFET®
    Delstatus : Obsolete
    FET Type : N-Channel
    Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
    Drenering til kildespenning (Vdss) : 200V
    Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 9.4A (Tc)
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, vgs : 380 mOhm @ 5.6A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 250µA
    Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 27nC @ 10V
    Vgs (maks) : ±30V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 560pF @ 25V
    FET-funksjon : -
    Effektdissipasjon (maks) : 86W (Tc)
    Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Monteringstype : Surface Mount
    Leverandørenhetspakke : D-Pak
    Pakke / sak : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63