Hvis plasseringen din ikke er oppført, kan du velge ett av følgende:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Hvis plasseringen din ikke er oppført, kan du velge ett av følgende:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Hjem
  2. Produkter
  3. Diskrete halvlederprodukter
  4. Transistorer - FET, MOSFET - En
  5. EPC2012

EPC - EPC2012

KEY Part #: K6406610

EPC2012 Priser (USD) [1259stk Lager]

  • 1,000 pcs$0.56684
Delnummer:
EPC2012
Produsent:
EPC
Detaljert beskrivelse:
GANFET TRANS 200V 3A BUMPED DIE.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Tyristorer - TRIAC, Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors), Dioder - RF, Tyristorer - SCR, Transistorer - FET, MOSFET - RF, Tyristorer - SCR-er - moduler, Dioder - Bridge likerettere and Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor ...
Konkurransefordel:
We specialize in EPC EPC2012 electronic components. EPC2012 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2012, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC2012 Produktegenskaper

Delnummer : EPC2012
Produsent : EPC
Beskrivelse : GANFET TRANS 200V 3A BUMPED DIE
Serie : eGaN®
Delstatus : Discontinued at Digi-Key
FET Type : N-Channel
Teknologi : GaNFET (Gallium Nitride)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 200V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 5V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 100 mOhm @ 3A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 1.8nC @ 5V
Vgs (maks) : +6V, -5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 145pF @ 100V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : -
Driftstemperatur : -40°C ~ 125°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : Die
Pakke / sak : Die
Du kan også være interessert i
  • IRLR8726PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 86A DPAK.

  • IRFR3410TRRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 31A DPAK.

  • IRFR1018ETRRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 79A DPAK.

  • IRLR024ZTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 16A DPAK.

  • TP0610K-T1

    Vishay Siliconix

    MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23.

  • 2N7002E

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23.

Varme deler