Vishay Siliconix - SUD90330E-GE3

KEY Part #: K6419688

SUD90330E-GE3 Priser (USD) [125329stk Lager]

  • 1 pcs$0.29512

Delnummer:
SUD90330E-GE3
Produsent:
Vishay Siliconix
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 200V 35.8A TO252AA.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - Bridge likerettere, Dioder - likerettere - singel, Dioder - likerettere - matriser, Transistorer - FET, MOSFET - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors), Transistorer - IGBT-er - Arrays and Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor ...
Konkurransefordel:
We specialize in Vishay Siliconix SUD90330E-GE3 electronic components. SUD90330E-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SUD90330E-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SUD90330E-GE3 Produktegenskaper

Delnummer : SUD90330E-GE3
Produsent : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET N-CH 200V 35.8A TO252AA
Serie : ThunderFET®
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 200V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 35.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 37.5 mOhm @ 12.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 32nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 1172pF @ 100V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 125W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : TO-252AA
Pakke / sak : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63