Vishay Siliconix - SIHP8N50D-E3

KEY Part #: K6393537

SIHP8N50D-E3 Priser (USD) [113540stk Lager]

  • 1 pcs$0.80275
  • 10 pcs$0.71161
  • 100 pcs$0.56247
  • 500 pcs$0.43621
  • 1,000 pcs$0.32577

Delnummer:
SIHP8N50D-E3
Produsent:
Vishay Siliconix
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistorer - FET, MOSFET - RF, Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor, Transistorer - IGBT-er - Arrays, Transistorer - programmerbar enhet, Dioder - Bridge likerettere, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk and Transistorer - FET, MOSFET - Arrays ...
Konkurransefordel:
We specialize in Vishay Siliconix SIHP8N50D-E3 electronic components. SIHP8N50D-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHP8N50D-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHP8N50D-E3 Produktegenskaper

Delnummer : SIHP8N50D-E3
Produsent : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
Serie : -
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 500V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 8.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 850 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V
Vgs (maks) : ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 527pF @ 100V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 156W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandørenhetspakke : TO-220AB
Pakke / sak : TO-220-3