Infineon Technologies - DF300R07PE4B6BOSA1

KEY Part #: K6532695

DF300R07PE4B6BOSA1 Priser (USD) [593stk Lager]

  • 1 pcs$78.19050

Delnummer:
DF300R07PE4B6BOSA1
Produsent:
Infineon Technologies
Detaljert beskrivelse:
IGBT MODULE VCES 650V 300A.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - likerettere - singel, Transistorer - Bipolar (BJT) - Singel, Tyristorer - TRIAC, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Transistorer - FET, MOSFET - Arrays, Transistorer - FET, MOSFET - RF, Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors) and Tyristorer - DIAC, SIDAC ...
Konkurransefordel:
We specialize in Infineon Technologies DF300R07PE4B6BOSA1 electronic components. DF300R07PE4B6BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DF300R07PE4B6BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DF300R07PE4B6BOSA1 Produktegenskaper

Delnummer : DF300R07PE4B6BOSA1
Produsent : Infineon Technologies
Beskrivelse : IGBT MODULE VCES 650V 300A
Serie : -
Delstatus : Active
IGBT-type : Trench Field Stop
konfigurasjon : Three Phase Inverter
Spenning - Samlebrenningens nedbrytning (maks) : 650V
Nåværende - Samler (Ic) (Maks) : 300A
Kraft - Maks : 940W
Vce (på) (Max) @ Vge, Ic : 1.95V @ 15V, 300A
Nåværende - Collector Cutoff (Max) : 1mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce : 18.5nF @ 25V
Input : Standard
NTC Thermistor : Yes
Driftstemperatur : -40°C ~ 150°C
Monteringstype : Chassis Mount
Pakke / sak : Module
Leverandørenhetspakke : Module

Du kan også være interessert i
  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • A2C25S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.

  • A2C35S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.