Vishay Siliconix - SIR800DP-T1-RE3

KEY Part #: K6393368

SIR800DP-T1-RE3 Priser (USD) [125902stk Lager]

  • 1 pcs$0.29378

Delnummer:
SIR800DP-T1-RE3
Produsent:
Vishay Siliconix
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 20V 50A POWERPAKSO-8.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Tyristorer - SCR-er - moduler, Dioder - Zener - Arrays, Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors), Transistorer - JFET-er, Transistorer - FET, MOSFET - En, Dioder - likerettere - singel, Tyristorer - TRIAC and Transistorer - spesialformål ...
Konkurransefordel:
We specialize in Vishay Siliconix SIR800DP-T1-RE3 electronic components. SIR800DP-T1-RE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIR800DP-T1-RE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIR800DP-T1-RE3 Produktegenskaper

Delnummer : SIR800DP-T1-RE3
Produsent : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET N-CH 20V 50A POWERPAKSO-8
Serie : TrenchFET® Gen III
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 20V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 2.3 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 133nC @ 10V
Vgs (maks) : ±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 5125pF @ 10V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 69W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : PowerPAK® SO-8
Pakke / sak : PowerPAK® SO-8