Microsemi Corporation - APTGT200DH120G

KEY Part #: K6533091

APTGT200DH120G Priser (USD) [819stk Lager]

  • 1 pcs$56.74583
  • 100 pcs$54.31085

Delnummer:
APTGT200DH120G
Produsent:
Microsemi Corporation
Detaljert beskrivelse:
IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - IGBT-er - Arrays, Tyristorer - SCR, Dioder - Zener - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor, Dioder - Bridge likerettere, Transistorer - Bipolar (BJT) - Singel, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF and Transistorer - FET, MOSFET - En ...
Konkurransefordel:
We specialize in Microsemi Corporation APTGT200DH120G electronic components. APTGT200DH120G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGT200DH120G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGT200DH120G Produktegenskaper

Delnummer : APTGT200DH120G
Produsent : Microsemi Corporation
Beskrivelse : IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6
Serie : -
Delstatus : Active
IGBT-type : Trench Field Stop
konfigurasjon : Asymmetrical Bridge
Spenning - Samlebrenningens nedbrytning (maks) : 1200V
Nåværende - Samler (Ic) (Maks) : 280A
Kraft - Maks : 890W
Vce (på) (Max) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 200A
Nåværende - Collector Cutoff (Max) : 350µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce : 14nF @ 25V
Input : Standard
NTC Thermistor : No
Driftstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Chassis Mount
Pakke / sak : SP6
Leverandørenhetspakke : SP6