Produsent :
GeneSiC Semiconductor
Beskrivelse :
TRANS SJT 1200V 45A
Teknologi :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drenering til kildespenning (Vdss) :
1200V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C :
45A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, vgs :
60 mOhm @ 20A
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
3091pF @ 800V
Effektdissipasjon (maks) :
282W (Tc)
Driftstemperatur :
175°C (TJ)
Monteringstype :
Surface Mount
Leverandørenhetspakke :
D2PAK (7-Lead)
Pakke / sak :
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA