Hvis plasseringen din ikke er oppført, kan du velge ett av følgende:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Hvis plasseringen din ikke er oppført, kan du velge ett av følgende:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Hjem
  2. Produkter
  3. Integrerte kretser (IC)
  4. Hukommelse
  5. TC58BYG0S3HBAI4

Toshiba Memory America, Inc. - TC58BYG0S3HBAI4

KEY Part #: K939351

TC58BYG0S3HBAI4 Priser (USD) [24757stk Lager]

  • 1 pcs$1.85094
Delnummer:
TC58BYG0S3HBAI4
Produsent:
Toshiba Memory America, Inc.
Detaljert beskrivelse:
1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP EE. NAND Flash 1.8V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Innebygd - DSP (digitale signalprosessorer), Logikk - Paritetsgeneratorer og brikker, Innebygd - Mikrokontrollere - Programspesifikk, Grensesnitt - sensor, kapasitiv berøring, Clock / Timing - Programmerbare tidtakere og oscil, Clock / Timing - Clock Generators, PLLs, Frequency, PMIC - PFC (Korrigering av kraftfaktor) and PMIC - RMS til DC-omformere ...
Konkurransefordel:
We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TC58BYG0S3HBAI4 electronic components. TC58BYG0S3HBAI4 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TC58BYG0S3HBAI4, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TC58BYG0S3HBAI4 Produktegenskaper

Delnummer : TC58BYG0S3HBAI4
Produsent : Toshiba Memory America, Inc.
Beskrivelse : 1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP EE
Serie : Benand™
Delstatus : Active
Minnetype : Non-Volatile
Minneformat : FLASH
Teknologi : FLASH - NAND (SLC)
Minnestørrelse : 1Gb (128M x 8)
Klokkefrekvens : -
Skriv syklustid - Word, Page : 25ns
Tilgangstid : -
Minne-grensesnitt : -
Spenning - forsyning : 1.7V ~ 1.95V
Driftstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)
Monteringstype : Surface Mount
Pakke / sak : 63-VFBGA
Leverandørenhetspakke : 63-TFBGA (9x11)

Siste nytt

Toshiba Memory FlashAir™ W-04 Wireless SD Cards
Toshiba Memory THGAF Managed NAND Flash Memories
Toshiba Memory THGAM e-MMC™ NAND Flash Memory
Du kan også være interessert i
  • U62256ADK07LLG1

    Alliance Memory, Inc.

    IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP. SRAM ZMD 32K x 8 5V Asynch

  • W94AD2KBJX5E

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz

  • W9864G2JB-6I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, SDR SDRAM, x32, 166MHz, Ind temp

  • W632GG8MB12I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

  • W632GU8MB12I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

  • W632GU8MB15I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ.

Varme deler