GeneSiC Semiconductor - MBR600200CTR

KEY Part #: K6468517

Detaljert beskrivelse:: DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers 150V 600A Reverse

Familiekategorier:: KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Tyristorer - DIAC, SIDAC, Dioder - Zener - Arrays, Transistorer - IGBT-er - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Dioder - Zener - Singel, Power Driver-moduler, Tyristorer - SCR-er - moduler and Dioder - likerettere - matriser ...

Konkurransefordel:: We specialize in GeneSiC Semiconductor MBR600200CTR electronic components. MBR600200CTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR600200CTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Delnummer : MBR600200CTR

Produsent : GeneSiC Semiconductor

Beskrivelse : DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER

Serie : -

Delstatus : Active

Diodekonfigurasjon : 1 Pair Common Anode

Diodetype : Schottky

Spenning - DC Reverse (Vr) (Max) : 200V

Nåværende - Gjennomsnittlig rettet (Io) (per diode) : 300A

Spenning - Fremover (Vf) (Maks) @ Hvis : 920mV @ 300A

Hastighet : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Omvendt gjenopprettingstid (trr) : -

Nåværende - Omvendt lekkasje @ Vr : 3mA @ 200V

Driftstemperatur - veikryss : -55°C ~ 150°C

Monteringstype : Chassis Mount

Pakke / sak : Twin Tower

Leverandørenhetspakke : Twin Tower

Du kan også være interessert i

LQA10N150C

Power Integrations

DIODE CC 150V 5A DUAL TO252. Rectifiers 150V, Dual, 5A Ultra-Low Qrr Rect
MMBF4416A

ON Semiconductor

JFET N-CH 35V 15MA SOT23.
2SK209-GR(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

JFET N-CH SOT23.
BF999E6327HTSA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CH RF 20V 30MA SOT-23.
MMBD1405A

ON Semiconductor

DIODE ARRAY GP 175V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage General Purpose
BAS4005E6433HTMA1

Infineon Technologies

DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT23.

Varme deler