Infineon Technologies - FS75R12KE3BOSA1

KEY Part #: K6532703

FS75R12KE3BOSA1 Priser (USD) [840stk Lager]

  • 1 pcs$55.29858

Delnummer:
FS75R12KE3BOSA1
Produsent:
Infineon Technologies
Detaljert beskrivelse:
IGBT MODULE 1200V 75A.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors), Dioder - Zener - Singel, Transistorer - IGBT-er - singel, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Tyristorer - SCR, Transistorer - FET, MOSFET - RF, Power Driver-moduler and Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays ...
Konkurransefordel:
We specialize in Infineon Technologies FS75R12KE3BOSA1 electronic components. FS75R12KE3BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FS75R12KE3BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FS75R12KE3BOSA1 Produktegenskaper

Delnummer : FS75R12KE3BOSA1
Produsent : Infineon Technologies
Beskrivelse : IGBT MODULE 1200V 75A
Serie : -
Delstatus : Active
IGBT-type : NPT
konfigurasjon : Three Phase Inverter
Spenning - Samlebrenningens nedbrytning (maks) : 1200V
Nåværende - Samler (Ic) (Maks) : 105A
Kraft - Maks : 350W
Vce (på) (Max) @ Vge, Ic : 2.15V @ 15V, 75A
Nåværende - Collector Cutoff (Max) : 5mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce : 5.3nF @ 25V
Input : Standard
NTC Thermistor : Yes
Driftstemperatur : 150°C (TJ)
Monteringstype : Chassis Mount
Pakke / sak : Module
Leverandørenhetspakke : Module

Du kan også være interessert i
  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • A2C25S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.

  • A2C35S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.