Diodes Incorporated - DMG4N65CTI

KEY Part #: K6396256

DMG4N65CTI Priser (USD) [76194stk Lager]

  • 1 pcs$0.41392
  • 50 pcs$0.30208
  • 100 pcs$0.26313
  • 500 pcs$0.19490
  • 1,000 pcs$0.15592

Delnummer:
DMG4N65CTI
Produsent:
Diodes Incorporated
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - Bridge likerettere, Tyristorer - TRIAC, Transistorer - IGBT-er - singel, Dioder - Zener - Arrays, Transistorer - programmerbar enhet, Transistorer - JFET-er, Tyristorer - DIAC, SIDAC and Transistorer - IGBT-er - moduler ...
Konkurransefordel:
We specialize in Diodes Incorporated DMG4N65CTI electronic components. DMG4N65CTI can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMG4N65CTI, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMG4N65CTI Produktegenskaper

Delnummer : DMG4N65CTI
Produsent : Diodes Incorporated
Beskrivelse : MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB
Serie : -
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 650V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 3 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 13.5nC @ 10V
Vgs (maks) : ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 900pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 8.35W (Ta)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandørenhetspakke : ITO-220AB
Pakke / sak : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab