Vishay Siliconix - SQ3410EV-T1_GE3

KEY Part #: K6420980

SQ3410EV-T1_GE3 Priser (USD) [310319stk Lager]

  • 1 pcs$0.11919
  • 3,000 pcs$0.10093

Delnummer:
SQ3410EV-T1_GE3
Produsent:
Vishay Siliconix
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 30V 8A TSOP-6.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Tyristorer - DIAC, SIDAC, Dioder - Bridge likerettere, Transistorer - FET, MOSFET - RF, Transistorer - IGBT-er - singel, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Transistorer - IGBT-er - moduler, Transistorer - FET, MOSFET - En and Dioder - likerettere - matriser ...
Konkurransefordel:
We specialize in Vishay Siliconix SQ3410EV-T1_GE3 electronic components. SQ3410EV-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQ3410EV-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQ3410EV-T1_GE3 Produktegenskaper

Delnummer : SQ3410EV-T1_GE3
Produsent : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET N-CH 30V 8A TSOP-6
Serie : TrenchFET®
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 30V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 17.5 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 1005pF @ 15V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 5W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : 6-TSOP
Pakke / sak : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6