Vishay Siliconix - SIR872DP-T1-GE3

KEY Part #: K6418436

SIR872DP-T1-GE3 Priser (USD) [63898stk Lager]

  • 1 pcs$0.61193
  • 3,000 pcs$0.57332

Delnummer:
SIR872DP-T1-GE3
Produsent:
Vishay Siliconix
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Power Driver-moduler, Transistorer - IGBT-er - moduler, Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor, Transistorer - spesialformål, Transistorer - IGBT-er - singel, Transistorer - FET, MOSFET - En, Transistorer - programmerbar enhet and Dioder - Zener - Singel ...
Konkurransefordel:
We specialize in Vishay Siliconix SIR872DP-T1-GE3 electronic components. SIR872DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIR872DP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIR872DP-T1-GE3 Produktegenskaper

Delnummer : SIR872DP-T1-GE3
Produsent : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
Serie : TrenchFET®
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 150V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 53.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 18 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 64nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 2130pF @ 75V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : PowerPAK® SO-8
Pakke / sak : PowerPAK® SO-8

Du kan også være interessert i
  • IXTY01N80

    IXYS

    MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA.

  • TK7A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 7A TO-220SIS.

  • IPA65R310CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220.

  • IPA80R460CEXKSA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 800V TO-220-3.

  • TK42A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 42A TO-220.

  • TK8A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 7.8A TO-220SIS.