Cypress Semiconductor Corp - CY7C1011DV33-10BVXI

KEY Part #: K938093

CY7C1011DV33-10BVXI Priser (USD) [19184stk Lager]

  • 1 pcs$2.38859
  • 10 pcs$2.18058
  • 25 pcs$2.13898
  • 50 pcs$2.12444
  • 100 pcs$1.90572
  • 250 pcs$1.89839
  • 500 pcs$1.77990
  • 1,000 pcs$1.70416

Delnummer:
CY7C1011DV33-10BVXI
Produsent:
Cypress Semiconductor Corp
Detaljert beskrivelse:
IC SRAM 2M PARALLEL 48VFBGA. SRAM 2Mb 10ns3.3V 128Kx16 Fast Async SRAM
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Datainnsamling - Berøringsskjermkontrollere, Linear - Comparators, Grensesnitt - Telekom, Grensesnitt - taleopptak og avspilling, Innebygd - Mikrokontroller, mikroprosessor, FPGA-m, Klokke / timing - forsinkelseslinjer, Clock / Timing - Programmerbare tidtakere og oscil and Lineære - Forsterkere - Spesielt formål ...
Konkurransefordel:
We specialize in Cypress Semiconductor Corp CY7C1011DV33-10BVXI electronic components. CY7C1011DV33-10BVXI can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CY7C1011DV33-10BVXI, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CY7C1011DV33-10BVXI Produktegenskaper

Delnummer : CY7C1011DV33-10BVXI
Produsent : Cypress Semiconductor Corp
Beskrivelse : IC SRAM 2M PARALLEL 48VFBGA
Serie : -
Delstatus : Active
Minnetype : Volatile
Minneformat : SRAM
Teknologi : SRAM - Asynchronous
Minnestørrelse : 2Mb (128K x 16)
Klokkefrekvens : -
Skriv syklustid - Word, Page : 10ns
Tilgangstid : 10ns
Minne-grensesnitt : Parallel
Spenning - forsyning : 3V ~ 3.6V
Driftstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)
Monteringstype : Surface Mount
Pakke / sak : 48-VFBGA
Leverandørenhetspakke : 48-VFBGA (6x8)

Du kan også være interessert i
  • GD25S512MDFIGR

    GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

    NOR FLASH.

  • TC58BYG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • TC58BVG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • TC58NVG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • S29GL512T11DHIV23

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA. NOR Flash NOR

  • S29GL512S11DHIV23

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA. NOR Flash Nor