Vishay Siliconix - SIHB180N60E-GE3

KEY Part #: K6397627

SIHB180N60E-GE3 Priser (USD) [24228stk Lager]

  • 1 pcs$1.70110

Delnummer:
SIHB180N60E-GE3
Produsent:
Vishay Siliconix
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH D2PAK TO-263.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors), Tyristorer - SCR, Transistorer - spesialformål, Dioder - likerettere - singel, Transistorer - IGBT-er - singel, Transistorer - programmerbar enhet, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk and Dioder - Bridge likerettere ...
Konkurransefordel:
We specialize in Vishay Siliconix SIHB180N60E-GE3 electronic components. SIHB180N60E-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHB180N60E-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHB180N60E-GE3 Produktegenskaper

Delnummer : SIHB180N60E-GE3
Produsent : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET N-CH D2PAK TO-263
Serie : E
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 600V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 19A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 180 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 33nC @ 10V
Vgs (maks) : ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 1085pF @ 100V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 156W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : D²PAK (TO-263)
Pakke / sak : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Du kan også være interessert i
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • FDD86250

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 150V 8A DPAK.

  • FDD9407L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 100A.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • TK290A65Y,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS.

  • TK22A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 52A TO-220.