GeneSiC Semiconductor - GA05JT12-247

KEY Part #: K6412607

GA05JT12-247 Priser (USD) [13387stk Lager]

  • 1,260 pcs$2.97443

Delnummer:
GA05JT12-247
Produsent:
GeneSiC Semiconductor
Detaljert beskrivelse:
TRANS SJT 1200V 5A.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - RF, Tyristorer - SCR, Transistorer - IGBT-er - singel, Tyristorer - TRIAC, Tyristorer - DIAC, SIDAC, Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF and Dioder - Bridge likerettere ...
Konkurransefordel:
We specialize in GeneSiC Semiconductor GA05JT12-247 electronic components. GA05JT12-247 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GA05JT12-247, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GA05JT12-247 Produktegenskaper

Delnummer : GA05JT12-247
Produsent : GeneSiC Semiconductor
Beskrivelse : TRANS SJT 1200V 5A
Serie : -
Delstatus : Obsolete
FET Type : -
Teknologi : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 1200V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, vgs : 280 mOhm @ 5A
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (maks) : -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 106W (Tc)
Driftstemperatur : 175°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandørenhetspakke : TO-247AB
Pakke / sak : TO-247-3