Infineon Technologies - IPB64N25S320ATMA1

KEY Part #: K6417117

IPB64N25S320ATMA1 Priser (USD) [25192stk Lager]

  • 1 pcs$1.63595
  • 1,000 pcs$1.50083

Delnummer:
IPB64N25S320ATMA1
Produsent:
Infineon Technologies
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - IGBT-er - moduler, Dioder - Zener - Arrays, Tyristorer - SCR, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors), Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor and Power Driver-moduler ...
Konkurransefordel:
We specialize in Infineon Technologies IPB64N25S320ATMA1 electronic components. IPB64N25S320ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB64N25S320ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB64N25S320ATMA1 Produktegenskaper

Delnummer : IPB64N25S320ATMA1
Produsent : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
Serie : OptiMOS™
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 250V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 64A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 20 mOhm @ 64A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 270µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 89nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 7000pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 300W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : PG-TO263-3-2
Pakke / sak : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB