Infineon Technologies - IPI60R299CPXKSA1

KEY Part #: K6409848

[140stk Lager]


    Delnummer:
    IPI60R299CPXKSA1
    Produsent:
    Infineon Technologies
    Detaljert beskrivelse:
    MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    På lager
    Holdbarhet:
    Ett år
    Brikke fra:
    Hong Kong
    RoHS:
    Betalingsmetode:
    Forsendelsesmåte:
    Familiekategorier:
    KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor, Transistorer - Bipolar (BJT) - Singel, Dioder - RF, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Transistorer - FET, MOSFET - En, Transistorer - spesialformål, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk and Transistorer - FET, MOSFET - RF ...
    Konkurransefordel:
    We specialize in Infineon Technologies IPI60R299CPXKSA1 electronic components. IPI60R299CPXKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPI60R299CPXKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPI60R299CPXKSA1 Produktegenskaper

    Delnummer : IPI60R299CPXKSA1
    Produsent : Infineon Technologies
    Beskrivelse : MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK
    Serie : CoolMOS™
    Delstatus : Obsolete
    FET Type : N-Channel
    Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
    Drenering til kildespenning (Vdss) : 600V
    Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 11A (Tc)
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, vgs : 299 mOhm @ 6.6A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 440µA
    Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 29nC @ 10V
    Vgs (maks) : ±20V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 1100pF @ 100V
    FET-funksjon : -
    Effektdissipasjon (maks) : 96W (Tc)
    Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Monteringstype : Through Hole
    Leverandørenhetspakke : PG-TO262-3
    Pakke / sak : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA