Diodes Incorporated - DMT6004SCT

KEY Part #: K6393792

DMT6004SCT Priser (USD) [42509stk Lager]

  • 1 pcs$0.86965
  • 50 pcs$0.70191
  • 100 pcs$0.63175
  • 500 pcs$0.49136
  • 1,000 pcs$0.40712

Delnummer:
DMT6004SCT
Produsent:
Diodes Incorporated
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - FET, MOSFET - RF, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Transistorer - FET, MOSFET - En, Transistorer - spesialformål, Dioder - Zener - Singel, Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor, Dioder - likerettere - singel and Tyristorer - DIAC, SIDAC ...
Konkurransefordel:
We specialize in Diodes Incorporated DMT6004SCT electronic components. DMT6004SCT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMT6004SCT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMT6004SCT Produktegenskaper

Delnummer : DMT6004SCT
Produsent : Diodes Incorporated
Beskrivelse : MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
Serie : -
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 60V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 3.65 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 95.4nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 4556pF @ 30V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 2.3W (Ta), 113W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandørenhetspakke : TO-220-3
Pakke / sak : TO-220-3