ON Semiconductor - FCA20N60-F109

KEY Part #: K6417576

FCA20N60-F109 Priser (USD) [34642stk Lager]

  • 1 pcs$1.18972

Delnummer:
FCA20N60-F109
Produsent:
ON Semiconductor
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 600V 20A TO-3P.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - IGBT-er - Arrays, Power Driver-moduler, Dioder - Zener - Arrays, Tyristorer - SCR, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistorer - FET, MOSFET - En, Tyristorer - SCR-er - moduler and Dioder - likerettere - singel ...
Konkurransefordel:
We specialize in ON Semiconductor FCA20N60-F109 electronic components. FCA20N60-F109 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FCA20N60-F109, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCA20N60-F109 Produktegenskaper

Delnummer : FCA20N60-F109
Produsent : ON Semiconductor
Beskrivelse : MOSFET N-CH 600V 20A TO-3P
Serie : SuperFET™
Delstatus : Not For New Designs
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 600V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 190 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 98nC @ 10V
Vgs (maks) : ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 3080pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 208W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandørenhetspakke : TO-3PN
Pakke / sak : TO-3P-3, SC-65-3

Du kan også være interessert i