ON Semiconductor - FQD2N60CTM

KEY Part #: K6392985

FQD2N60CTM Priser (USD) [227124stk Lager]

  • 1 pcs$0.16285
  • 2,500 pcs$0.15234

Delnummer:
FQD2N60CTM
Produsent:
ON Semiconductor
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Transistorer - JFET-er, Transistorer - Bipolar (BJT) - Singel, Transistorer - FET, MOSFET - Arrays, Tyristorer - SCR, Dioder - RF, Dioder - likerettere - singel and Transistorer - FET, MOSFET - En ...
Konkurransefordel:
We specialize in ON Semiconductor FQD2N60CTM electronic components. FQD2N60CTM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQD2N60CTM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQD2N60CTM Produktegenskaper

Delnummer : FQD2N60CTM
Produsent : ON Semiconductor
Beskrivelse : MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
Serie : QFET®
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 600V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 1.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 4.7 Ohm @ 950mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs (maks) : ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 235pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : D-Pak
Pakke / sak : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63