Rohm Semiconductor - RE1J002YNTCL

KEY Part #: K6417133

RE1J002YNTCL Priser (USD) [1505981stk Lager]

  • 1 pcs$0.02715
  • 3,000 pcs$0.02702

Delnummer:
RE1J002YNTCL
Produsent:
Rohm Semiconductor
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 1.2V DRIVE EMT3FM.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - Bipolar (BJT) - Singel, Dioder - likerettere - matriser, Power Driver-moduler, Dioder - RF, Transistorer - programmerbar enhet, Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor, Tyristorer - TRIAC and Transistorer - FET, MOSFET - En ...
Konkurransefordel:
We specialize in Rohm Semiconductor RE1J002YNTCL electronic components. RE1J002YNTCL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RE1J002YNTCL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RE1J002YNTCL Produktegenskaper

Delnummer : RE1J002YNTCL
Produsent : Rohm Semiconductor
Beskrivelse : MOSFET N-CH 1.2V DRIVE EMT3FM
Serie : -
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 50V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 200mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 0.9V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 800mV @ 1mA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (maks) : ±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 26pF @ 10V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 150mW (Ta)
Driftstemperatur : 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : EMT3F (SOT-416FL)
Pakke / sak : SC-89, SOT-490