Infineon Technologies - IRF2807PBF

KEY Part #: K6400132

IRF2807PBF Priser (USD) [54689stk Lager]

  • 1 pcs$0.77349
  • 10 pcs$0.68443
  • 100 pcs$0.54085
  • 500 pcs$0.41944
  • 1,000 pcs$0.31324

Delnummer:
IRF2807PBF
Produsent:
Infineon Technologies
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 75V 82A TO-220AB.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - likerettere - singel, Tyristorer - TRIAC, Tyristorer - SCR, Transistorer - IGBT-er - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Tyristorer - SCR-er - moduler, Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors) and Transistorer - IGBT-er - moduler ...
Konkurransefordel:
We specialize in Infineon Technologies IRF2807PBF electronic components. IRF2807PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF2807PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF2807PBF Produktegenskaper

Delnummer : IRF2807PBF
Produsent : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET N-CH 75V 82A TO-220AB
Serie : HEXFET®
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 75V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 82A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 13 mOhm @ 43A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 160nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 3820pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 230W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandørenhetspakke : TO-220AB
Pakke / sak : TO-220-3