Diodes Incorporated - DMN3051L-7

KEY Part #: K6417354

DMN3051L-7 Priser (USD) [618813stk Lager]

  • 1 pcs$0.05977
  • 3,000 pcs$0.05384

Delnummer:
DMN3051L-7
Produsent:
Diodes Incorporated
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - IGBT-er - moduler, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor, Transistorer - IGBT-er - singel, Dioder - RF, Transistorer - FET, MOSFET - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays and Dioder - Zener - Arrays ...
Konkurransefordel:
We specialize in Diodes Incorporated DMN3051L-7 electronic components. DMN3051L-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN3051L-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN3051L-7 Produktegenskaper

Delnummer : DMN3051L-7
Produsent : Diodes Incorporated
Beskrivelse : MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
Serie : -
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 30V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 5.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 38 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 424pF @ 5V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 700mW (Ta)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : SOT-23-3
Pakke / sak : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3