STMicroelectronics - STH315N10F7-6

KEY Part #: K6397065

STH315N10F7-6 Priser (USD) [26267stk Lager]

  • 1 pcs$1.56904
  • 1,000 pcs$1.39672

Delnummer:
STH315N10F7-6
Produsent:
STMicroelectronics
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Dioder - RF, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Transistorer - IGBT-er - moduler, Transistorer - FET, MOSFET - RF, Dioder - Zener - Arrays, Power Driver-moduler and Tyristorer - SCR-er - moduler ...
Konkurransefordel:
We specialize in STMicroelectronics STH315N10F7-6 electronic components. STH315N10F7-6 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STH315N10F7-6, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STH315N10F7-6 Produktegenskaper

Delnummer : STH315N10F7-6
Produsent : STMicroelectronics
Beskrivelse : MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Serie : Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VII
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 100V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 180A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 2.3 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 180nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 12800pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 315W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : H2PAK-6
Pakke / sak : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)