ON Semiconductor - FQB11P06TM

KEY Part #: K6402943

FQB11P06TM Priser (USD) [147217stk Lager]

  • 1 pcs$0.25125
  • 800 pcs$0.25038

Delnummer:
FQB11P06TM
Produsent:
ON Semiconductor
Detaljert beskrivelse:
MOSFET P-CH 60V 11.4A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - Bridge likerettere, Dioder - likerettere - singel, Tyristorer - SCR-er - moduler, Dioder - Zener - Singel, Transistorer - JFET-er, Transistorer - IGBT-er - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - Singel and Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays ...
Konkurransefordel:
We specialize in ON Semiconductor FQB11P06TM electronic components. FQB11P06TM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQB11P06TM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQB11P06TM Produktegenskaper

Delnummer : FQB11P06TM
Produsent : ON Semiconductor
Beskrivelse : MOSFET P-CH 60V 11.4A D2PAK
Serie : QFET®
Delstatus : Active
FET Type : P-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 60V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 11.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 175 mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 10V
Vgs (maks) : ±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 550pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 3.13W (Ta), 53W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : D²PAK (TO-263AB)
Pakke / sak : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB