Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-FC220SA20

KEY Part #: K6394492

VS-FC220SA20 Priser (USD) [2526stk Lager]

  • 1 pcs$17.14992
  • 160 pcs$16.33324

Delnummer:
VS-FC220SA20
Produsent:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Tyristorer - SCR, Dioder - Zener - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Transistorer - FET, MOSFET - Arrays, Tyristorer - SCR-er - moduler, Dioder - RF, Dioder - Bridge likerettere and Dioder - likerettere - matriser ...
Konkurransefordel:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-FC220SA20 electronic components. VS-FC220SA20 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-FC220SA20, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-FC220SA20 Produktegenskaper

Delnummer : VS-FC220SA20
Produsent : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beskrivelse : MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227
Serie : -
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 200V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 220A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 7 mOhm @ 150A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.1V @ 500µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 350nC @ 10V
Vgs (maks) : ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 21000pF @ 50V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 789W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Chassis Mount
Leverandørenhetspakke : SOT-227
Pakke / sak : SOT-227-4, miniBLOC