STMicroelectronics - STB11NM60-1

KEY Part #: K6415802

[12284stk Lager]


    Delnummer:
    STB11NM60-1
    Produsent:
    STMicroelectronics
    Detaljert beskrivelse:
    MOSFET N-CH 650V 11A I2PAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    På lager
    Holdbarhet:
    Ett år
    Brikke fra:
    Hong Kong
    RoHS:
    Betalingsmetode:
    Forsendelsesmåte:
    Familiekategorier:
    KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - likerettere - matriser, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Transistorer - programmerbar enhet, Transistorer - IGBT-er - moduler, Transistorer - IGBT-er - singel, Dioder - likerettere - singel, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF and Tyristorer - DIAC, SIDAC ...
    Konkurransefordel:
    We specialize in STMicroelectronics STB11NM60-1 electronic components. STB11NM60-1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STB11NM60-1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    STB11NM60-1 Produktegenskaper

    Delnummer : STB11NM60-1
    Produsent : STMicroelectronics
    Beskrivelse : MOSFET N-CH 650V 11A I2PAK
    Serie : MDmesh™
    Delstatus : Obsolete
    FET Type : N-Channel
    Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
    Drenering til kildespenning (Vdss) : 650V
    Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 11A (Tc)
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, vgs : 450 mOhm @ 5.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
    Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V
    Vgs (maks) : ±30V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 1000pF @ 25V
    FET-funksjon : -
    Effektdissipasjon (maks) : 160W (Tc)
    Driftstemperatur : -65°C ~ 150°C (TJ)
    Monteringstype : Through Hole
    Leverandørenhetspakke : I2PAK
    Pakke / sak : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA