Diodes Incorporated - ZXMN3A01E6TA

KEY Part #: K6394189

ZXMN3A01E6TA Priser (USD) [338563stk Lager]

  • 1 pcs$0.10925
  • 3,000 pcs$0.09778

Delnummer:
ZXMN3A01E6TA
Produsent:
Diodes Incorporated
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Transistorer - FET, MOSFET - RF, Tyristorer - SCR, Transistorer - JFET-er, Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors), Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Transistorer - spesialformål and Dioder - Bridge likerettere ...
Konkurransefordel:
We specialize in Diodes Incorporated ZXMN3A01E6TA electronic components. ZXMN3A01E6TA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZXMN3A01E6TA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ZXMN3A01E6TA Produktegenskaper

Delnummer : ZXMN3A01E6TA
Produsent : Diodes Incorporated
Beskrivelse : MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6
Serie : -
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 30V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 2.4A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 120 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 3.9nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 190pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 1.1W (Ta)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : SOT-23-6
Pakke / sak : SOT-23-6