Vishay Siliconix - SIS698DN-T1-GE3

KEY Part #: K6420921

SIS698DN-T1-GE3 Priser (USD) [293170stk Lager]

  • 1 pcs$0.12616

Delnummer:
SIS698DN-T1-GE3
Produsent:
Vishay Siliconix
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 100V 6.9A 1212-8.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Transistorer - IGBT-er - Arrays, Tyristorer - SCR-er - moduler, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Transistorer - IGBT-er - moduler, Transistorer - FET, MOSFET - En, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays and Dioder - RF ...
Konkurransefordel:
We specialize in Vishay Siliconix SIS698DN-T1-GE3 electronic components. SIS698DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIS698DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIS698DN-T1-GE3 Produktegenskaper

Delnummer : SIS698DN-T1-GE3
Produsent : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET N-CH 100V 6.9A 1212-8
Serie : -
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 100V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 6.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 195 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 8nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 210pF @ 50V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 19.8W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : PowerPAK® 1212-8
Pakke / sak : PowerPAK® 1212-8

Du kan også være interessert i