Infineon Technologies - IRF7739L2TR1PBF

KEY Part #: K6406854

[1175stk Lager]


    Delnummer:
    IRF7739L2TR1PBF
    Produsent:
    Infineon Technologies
    Detaljert beskrivelse:
    MOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFET.
    Manufacturer's standard lead time:
    På lager
    Holdbarhet:
    Ett år
    Brikke fra:
    Hong Kong
    RoHS:
    Betalingsmetode:
    Forsendelsesmåte:
    Familiekategorier:
    KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Transistorer - IGBT-er - moduler, Transistorer - Bipolar (BJT) - Singel, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Transistorer - FET, MOSFET - En, Dioder - Zener - Singel, Power Driver-moduler and Tyristorer - SCR-er - moduler ...
    Konkurransefordel:
    We specialize in Infineon Technologies IRF7739L2TR1PBF electronic components. IRF7739L2TR1PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7739L2TR1PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRF7739L2TR1PBF Produktegenskaper

    Delnummer : IRF7739L2TR1PBF
    Produsent : Infineon Technologies
    Beskrivelse : MOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFET
    Serie : HEXFET®
    Delstatus : Obsolete
    FET Type : N-Channel
    Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
    Drenering til kildespenning (Vdss) : 40V
    Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 46A (Ta), 375A (Tc)
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, vgs : 1 mOhm @ 160A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 330nC @ 10V
    Vgs (maks) : ±20V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 11880pF @ 25V
    FET-funksjon : -
    Effektdissipasjon (maks) : 3.8W (Ta), 125W (Tc)
    Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Monteringstype : Surface Mount
    Leverandørenhetspakke : DIRECTFET L8
    Pakke / sak : DirectFET™ Isometric L8