Diodes Incorporated - ZXMN10A09KTC

KEY Part #: K6403225

ZXMN10A09KTC Priser (USD) [100912stk Lager]

  • 1 pcs$0.38747
  • 2,500 pcs$0.32302

Delnummer:
ZXMN10A09KTC
Produsent:
Diodes Incorporated
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 100V 5A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Tyristorer - TRIAC, Transistorer - FET, MOSFET - En, Dioder - Bridge likerettere, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Dioder - Zener - Arrays, Dioder - likerettere - matriser, Transistorer - Bipolar (BJT) - Singel and Power Driver-moduler ...
Konkurransefordel:
We specialize in Diodes Incorporated ZXMN10A09KTC electronic components. ZXMN10A09KTC can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZXMN10A09KTC, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ZXMN10A09KTC Produktegenskaper

Delnummer : ZXMN10A09KTC
Produsent : Diodes Incorporated
Beskrivelse : MOSFET N-CH 100V 5A DPAK
Serie : -
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 100V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 85 mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 26nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 1313pF @ 50V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 2.15W (Ta)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : TO-252-3
Pakke / sak : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63