Vishay Siliconix - SI1070X-T1-GE3

KEY Part #: K6411731

SI1070X-T1-GE3 Priser (USD) [498647stk Lager]

  • 1 pcs$0.07455
  • 3,000 pcs$0.07418

Delnummer:
SI1070X-T1-GE3
Produsent:
Vishay Siliconix
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - likerettere - matriser, Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors), Tyristorer - SCR-er - moduler, Dioder - Zener - Arrays, Dioder - Zener - Singel, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Transistorer - IGBT-er - moduler and Transistorer - Bipolar (BJT) - Singel ...
Konkurransefordel:
We specialize in Vishay Siliconix SI1070X-T1-GE3 electronic components. SI1070X-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI1070X-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI1070X-T1-GE3 Produktegenskaper

Delnummer : SI1070X-T1-GE3
Produsent : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F
Serie : TrenchFET®
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 30V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : -
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 99 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.55V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 8.3nC @ 5V
Vgs (maks) : ±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 385pF @ 15V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 236mW (Ta)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : SC-89-6
Pakke / sak : SOT-563, SOT-666