Vishay Siliconix - SQJB68EP-T1_GE3

KEY Part #: K6525354

SQJB68EP-T1_GE3 Priser (USD) [219327stk Lager]

  • 1 pcs$0.16864

Delnummer:
SQJB68EP-T1_GE3
Produsent:
Vishay Siliconix
Detaljert beskrivelse:
MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors), Dioder - Zener - Singel, Transistorer - programmerbar enhet, Tyristorer - TRIAC, Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor, Dioder - RF, Transistorer - IGBT-er - Arrays and Tyristorer - DIAC, SIDAC ...
Konkurransefordel:
We specialize in Vishay Siliconix SQJB68EP-T1_GE3 electronic components. SQJB68EP-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQJB68EP-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQJB68EP-T1_GE3 Produktegenskaper

Delnummer : SQJB68EP-T1_GE3
Produsent : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8
Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Delstatus : Active
FET Type : 2 N-Channel (Dual)
FET-funksjon : Standard
Drenering til kildespenning (Vdss) : 100V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, vgs : 92 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 8nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 280pF @ 25V
Kraft - Maks : 27W
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Pakke / sak : PowerPAK® SO-8 Dual
Leverandørenhetspakke : PowerPAK® SO-8 Dual

Du kan også være interessert i