Produsent :
GeneSiC Semiconductor
Beskrivelse :
DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276
Diodetype :
Silicon Carbide Schottky
Spenning - DC Reverse (Vr) (Max) :
650V
Nåværende - Gjennomsnittlig rettet (Io) :
4.3A (DC)
Spenning - Fremover (Vf) (Maks) @ Hvis :
1.65V @ 5A
Hastighet :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Omvendt gjenopprettingstid (trr) :
0ns
Nåværende - Omvendt lekkasje @ Vr :
5µA @ 650V
Capacitance @ Vr, F :
274pF @ 1V, 1MHz
Monteringstype :
Surface Mount
Leverandørenhetspakke :
TO-276
Driftstemperatur - veikryss :
-55°C ~ 250°C