Microsemi Corporation - JAN1N6630US

KEY Part #: K6449551

Detaljert beskrivelse:: DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF. Rectifiers Rectifier

Familiekategorier:: KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor, Transistorer - JFET-er, Transistorer - programmerbar enhet, Transistorer - IGBT-er - singel, Transistorer - Bipolar (BJT) - Singel, Tyristorer - SCR-er - moduler, Power Driver-moduler and Dioder - likerettere - matriser ...

Konkurransefordel:: We specialize in Microsemi Corporation JAN1N6630US electronic components. JAN1N6630US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N6630US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Delnummer : JAN1N6630US

Produsent : Microsemi Corporation

Beskrivelse : DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF

Serie : Military, MIL-PRF-19500/590

Delstatus : Active

Diodetype : Standard

Spenning - DC Reverse (Vr) (Max) : 900V

Nåværende - Gjennomsnittlig rettet (Io) : 1.4A

Spenning - Fremover (Vf) (Maks) @ Hvis : 1.4V @ 1.4A

Hastighet : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Omvendt gjenopprettingstid (trr) : 50ns

Nåværende - Omvendt lekkasje @ Vr : 2µA @ 900V

Capacitance @ Vr, F : -

Monteringstype : Surface Mount

Pakke / sak : SQ-MELF, E

Leverandørenhetspakke : D-5B

Driftstemperatur - veikryss : -65°C ~ 150°C

Du kan også være interessert i

C4D08120E

Cree/Wolfspeed

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 8A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 7.5A
BAT 64 B5003

Infineon Technologies

DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.
BAS 70 B5003

Infineon Technologies

DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23-3.
BAT 54 B5003

Infineon Technologies

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3.
BAS 40 B5003

Infineon Technologies

DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.
BAS 16 B5003

Infineon Technologies

DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3.

Varme deler