Infineon Technologies - IPB083N10N3GATMA1

KEY Part #: K6419695

IPB083N10N3GATMA1 Priser (USD) [125954stk Lager]

  • 1 pcs$0.29366

Delnummer:
IPB083N10N3GATMA1
Produsent:
Infineon Technologies
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors), Dioder - RF, Transistorer - IGBT-er - moduler, Transistorer - IGBT-er - Arrays, Transistorer - FET, MOSFET - Arrays, Tyristorer - SCR-er - moduler, Dioder - likerettere - singel and Transistorer - FET, MOSFET - En ...
Konkurransefordel:
We specialize in Infineon Technologies IPB083N10N3GATMA1 electronic components. IPB083N10N3GATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB083N10N3GATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB083N10N3GATMA1 Produktegenskaper

Delnummer : IPB083N10N3GATMA1
Produsent : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3
Serie : OptiMOS™
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 100V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 8.3 mOhm @ 73A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 75µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 55nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 3980pF @ 50V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 125W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : D²PAK (TO-263AB)
Pakke / sak : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Du kan også være interessert i