Microsemi Corporation - JAN1N647-1

KEY Part #: K6444050

[2582stk Lager]


    Delnummer:
    JAN1N647-1
    Produsent:
    Microsemi Corporation
    Detaljert beskrivelse:
    DIODE GEN PURP 400V 400MA DO35.
    Manufacturer's standard lead time:
    På lager
    Holdbarhet:
    Ett år
    Brikke fra:
    Hong Kong
    RoHS:
    Betalingsmetode:
    Forsendelsesmåte:
    Familiekategorier:
    KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Dioder - Zener - Arrays, Dioder - RF, Power Driver-moduler, Transistorer - JFET-er, Transistorer - FET, MOSFET - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF and Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays ...
    Konkurransefordel:
    We specialize in Microsemi Corporation JAN1N647-1 electronic components. JAN1N647-1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N647-1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    JAN1N647-1 Produktegenskaper

    Delnummer : JAN1N647-1
    Produsent : Microsemi Corporation
    Beskrivelse : DIODE GEN PURP 400V 400MA DO35
    Serie : -
    Delstatus : Active
    Diodetype : Standard
    Spenning - DC Reverse (Vr) (Max) : 400V
    Nåværende - Gjennomsnittlig rettet (Io) : 400mA
    Spenning - Fremover (Vf) (Maks) @ Hvis : 1V @ 400mA
    Hastighet : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    Omvendt gjenopprettingstid (trr) : -
    Nåværende - Omvendt lekkasje @ Vr : 50nA @ 400V
    Capacitance @ Vr, F : -
    Monteringstype : Through Hole
    Pakke / sak : DO-204AH, DO-35, Axial
    Leverandørenhetspakke : DO-35
    Driftstemperatur - veikryss : -65°C ~ 175°C

    Du kan også være interessert i
    • RJU60C2SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 600V 5A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Fast Recovery Diode 600V TO-252 IF=8A

    • RJU60C3SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 600V 10A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/30A/90ns Trr/TO-252

    • BAS16-D87Z

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 85V 200MA SOT23-3.

    • VS-50WQ06FNTRRPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.

    • VS-50WQ06FNTRLPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.

    • VS-50WQ06FNTRPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.